г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4PH30K Infineon Technologies

Артикул
IRG4PH30K
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 20A 100W TO247AC, IGBT - 1200 V 20 A 100 W Through Hole TO-247AC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4PH30K.jpg
Other Names
*IRG4PH30K
Test Condition
960V, 10A, 23Ohm, 15V
Power - Max
100 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
IGBT Type
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
4.2V @ 15V, 10A
Switching Energy
640µJ (on), 920µJ (off)
Gate Charge
53 nC
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
25
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Td (on/off) @ 25°C
28ns/200ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPB08P06P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO263-3, P-Channel 60 V 8.8A (Ta) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: IRFSL3107PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 195A TO262, N-Channel 75 V 195A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: BSZ088N03MSG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BSZ088N03 - 12V-300V N-CHANNEL P,
Подробнее
Артикул: IKW75N60H3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW75N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: IDH16G65C5XKSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTKY 650V 16A TO220-2-1, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 16A (DC) Through Hole PG-TO220-2-1
Подробнее
Артикул: IRF530NSTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK, N-Channel 100 V 17A (Tc) 3.8W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее