г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGB15B60KDPBF Infineon Technologies

Артикул
IRGB15B60KDPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 31A 208W TO220AB, IGBT NPT 600 V 31 A 208 W Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRGB15B60KDPBF.jpg
IGBT Type
NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
31 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
62 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 15A
Power - Max
208 W
Switching Energy
220µJ (on), 340µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
56 nC
Td (on/off) @ 25°C
34ns/184ns
Test Condition
400V, 15A, 22Ohm, 15V
REACH Status
REACH Unaffected
Supplier Device Package
TO-220AB
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRGB15B60KDPBF,SP001540650
Standard Package
1,000
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Reverse Recovery Time (trr)
92 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFU3806PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 43A IPAK, N-Channel 60 V 43A (Tc) 71W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: BCW67C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRLR2905ZTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRFU7440PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 90A IPAK, N-Channel 40 V 90A (Tc) 140W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: SPP11N60C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3, N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: FF450R12KT4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 580A 2400W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 450 A 2400 W Chassis Mount Module
Подробнее