г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGB4062DPBF Infineon Technologies

Артикул
IRGB4062DPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT TRENCH 600V 48A TO220AB, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRGB4062DPBF.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
IGBT Type
Trench
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
48 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
72 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.95V @ 15V, 24A
Power - Max
250 W
Switching Energy
115µJ (on), 600µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
50 nC
Td (on/off) @ 25°C
41ns/104ns
Test Condition
400V, 24A, 10Ohm, 15V
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
INFIRFIRGB4062DPBF,SP001544880,2156-IRGB4062DPBF
Standard Package
1,000
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRGB4062
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Reverse Recovery Time (trr)
89 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPP20N60S5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: HIGH POWER_LEGACY, N-Channel 600 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: BSZ063N04LS6ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON, N-Channel 40 V 15A (Ta), 40A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Подробнее
Артикул: BAR6302VH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 50V 250MW SC79-2, RF Diode PIN - Single 50V 100 mA 250 mW PG-SC79-2
Подробнее
Артикул: IAUC120N04S6N009ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33, N-Channel 40 V 120A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-33
Подробнее
Артикул: IRF7469
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 9A 8SO, N-Channel 40 V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BAR6404WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 150V 250MW SOT323-3, RF Diode PIN - 1 Pair Series Connection 150V 100 mA 250 mW SOT-323
Подробнее