г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGP4263DPBF Infineon Technologies

Артикул
IRGP4263DPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 650V 90A 325W TO-247, IGBT - 650 V 90 A 325 W Through Hole TO-247AC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRGP4263DPBF.jpg
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
Current - Collector (Ic) (Max)
90 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
192 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 48A
Power - Max
325 W
Switching Energy
2.9mJ (on), 1.4mJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
145 nC
Td (on/off) @ 25°C
70ns/140ns
Test Condition
400V, 48A, 10Ohm, 15V
IGBT Type
-
Supplier Device Package
TO-247AC
Package / Case
TO-247-3
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001541776,INFINFIRGP4263DPBF,2156-IRGP4263DPBF-IT
Standard Package
25
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Reverse Recovery Time (trr)
170 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP60R099C7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3, N-Channel 600 V 22A (Tc) 110W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: FF6MR12KM1PHOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MEDIUM POWER 62MM, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 250A (Tc) - Chassis Mount AG-62MM
Подробнее
Артикул: IPI075N15N3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRFU1205PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 44A IPAK, N-Channel 55 V 44A (Tc) 107W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: BAS70-07W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SCHOTTKY DIODE - HIGH SPEED SWIT, Diode Array 2 Independent Schottky 70 V 70mA (DC) Surface Mount SC-82A, SOT-343
Подробнее
Артикул: BSC0901NSIATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON, N-Channel 30 V 28A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее