г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGPS40B120UDP Infineon Technologies

Артикул
IRGPS40B120UDP
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 80A 595W SUPER247, IGBT NPT 1200 V 80 A 595 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Цена
1 126 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRGPS40B120UDP.jpg
Power - Max
595 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
IGBT Type
NPT
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.7V @ 15V, 50A
Switching Energy
1.4mJ (on), 1.65mJ (off)
Gate Charge
340 nC
Td (on/off) @ 25°C
-
Test Condition
600V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Other Names
*IRGPS40B120UDP,SP001536518,2156-IRGPS40B120UDP-IT,INFIRFIRGPS40B120UDP
Mounting Type
Through Hole
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-274AA
Supplier Device Package
SUPER-247™ (TO-274AA)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
25
Reverse Recovery Time (trr)
180 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR146
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRG4PH40UD-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 41A 160W TO247-3, IGBT - 1200 V 41 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRG7PH35UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247AC, IGBT Trench 1200 V 50 A 180 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BSZ0803LSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 9A/40A TSDSON, N-Channel 100 V 9A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Подробнее
Артикул: IRF7811A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 28V 11A 8SO, N-Channel 28 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF6727MTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET, N-Channel 30 V 32A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Подробнее