г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGS4062DPBF Infineon Technologies

Артикул
IRGS4062DPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 48A 250W D2PAK, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Surface Mount D2PAK
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRGS4062DPBF.jpg
IGBT Type
Trench
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
48 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
96 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.95V @ 15V, 24A
Power - Max
250 W
Switching Energy
115µJ (on), 600µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
50 nC
Td (on/off) @ 25°C
41ns/104ns
Test Condition
400V, 24A, 10Ohm, 15V
Supplier Device Package
D2PAK
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001535940
Standard Package
50
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRGS4062DPBF
Reverse Recovery Time (trr)
89 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD50P04P413ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3, P-Channel 40 V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Подробнее
Артикул: BCR133WH6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: ISC022N10NM6ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRENCH >=100V PG-TSON-8, N-Channel 100 V 25A (Ta), 230A (Tc) 3W (Ta), 254W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3
Подробнее
Артикул: IRFH4255DTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 64A, 105A 31W, 38W Surface Mount PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: IDH16G65C5XKSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTKY 650V 16A TO220-2-1, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 16A (DC) Through Hole PG-TO220-2-1
Подробнее
Артикул: IRF6613TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET, N-Channel 40 V 23A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Подробнее