г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRL2505PBF Infineon Technologies

Артикул
IRL2505PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 104A TO220AB, N-Channel 55 V 104A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
437 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRL2505PBF.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 54A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
104A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRL2505PBF,IFEINFIRL2505PBF,2156-IRL2505PBFINF,SP001567114
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRL2505
Power Dissipation (Max)
200W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG7PH35UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247AC, IGBT Trench 1200 V 50 A 180 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFS4410
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 96A D2PAK, N-Channel 100 V 96A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: SDT05S60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 5A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: IRFR812PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK, N-Channel 500 V 3.6A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRFB4332PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB, N-Channel 250 V 60A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG4BC30FD-SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRG4BC30 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее