г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRL5602S Infineon Technologies

Артикул
IRL5602S
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK, P-Channel 20 V 24A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount D2PAK
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRL5602S.jpg
Supplier Device Package
D2PAK
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1460 pF @ 15 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRL5602S,Q803261,SP001573924
Standard Package
50
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
75W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SMBTA42E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS NPN 300V 500MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 70MHz 360 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IKD04N60R
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3, IGBT Trench 600 V 8 A 75 W Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее
Артикул: IRFH5302TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN, N-Channel 30 V 32A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
Подробнее
Артикул: IPD85P04P4L06ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3, P-Channel 40 V 85A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Подробнее
Артикул: IRF5305STRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK, P-Channel 55 V 31A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: SPA11N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее