г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLL024NTRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLL024NTRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223, N-Channel 55 V 3.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Цена
169 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLL024NTRPBF.jpg
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device Package
SOT-223
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15.6 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
510 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.1A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRLL024NTRPBF-ND,IRLL024NPBFTR,IRLL024NTRPBFTR-ND,IRLL024NPBFDKR,*IRLL024NTRPBF,IRLL024NPBFCT,Q8849905,SP001568956
Standard Package
2,500
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRLL024
Power Dissipation (Max)
1W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFP150NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC, N-Channel 100 V 42A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF640NSTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK, N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IDH10G65C6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 24A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 24A (DC) Through Hole PG-TO220-2
Подробнее
Артикул: IPW60R075CPAFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: AUTOMOTIVE,
Подробнее
Артикул: IDD06E60BUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 600V 14.7A TO252, Diode Standard 600 V 14.7A (DC) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRF6668TR1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ, N-Channel 80 V 55A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Подробнее