г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLML0100TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLML0100TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23, N-Channel 100 V 1.6A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Цена
83 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLML0100TRPBF.jpg
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
Micro3™/SOT-23
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
220mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
290 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRLML0100TRPBFDKR,IRLML0100TRPBFTR,IRLML0100TRPBFCT,SP001568612
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRLML0100
Power Dissipation (Max)
1.3W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC027N04LSGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON, N-Channel 40 V 24A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: IGLD60R190D1AUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 10A LSON-8, N-Channel 600 V 10A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-LSON-8-1
Подробнее
Артикул: IRG4BAC50W-S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 55A 200W SUPER 220, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
Подробнее
Артикул: IRL8113
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 105A TO220AB, N-Channel 30 V 105A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFB4110PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB, N-Channel 100 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: DDB6U145N16LHOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE MODULE GP 1600V, Diode Array 3 Independent Standard 1600 V - Chassis Mount Module
Подробнее