г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLML2060TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLML2060TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23, N-Channel 60 V 1.2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Цена
79 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLML2060TRPBF.jpg
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
Micro3™/SOT-23
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
480mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.67 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
64 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRLML2060TRPBFCT,IRLML2060TRPBFDKR,SP001578644,IRLML2060TRPBFTR
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRLML2060
Power Dissipation (Max)
1.25W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7343PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 55V 4.7A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IDL08G65C5XUMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 8A VSON-4, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 8A (DC) Surface Mount PG-VSON-4
Подробнее
Артикул: IRGP4630DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 47A 206W TO247AC, IGBT - 600 V 47 A 206 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF7106
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 20V 3A, 2.5A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF6215L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 150V 13A TO262, P-Channel 150 V 13A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRLR7807ZTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 43A DPAK, N-Channel 30 V 43A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее