г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLML9303TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLML9303TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23, P-Channel 30 V 2.3A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Цена
84 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLML9303TRPBF.jpg
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
Micro3™/SOT-23
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
160 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRLML9303TRPBFDKR,IRLML9303TRPBFCT,IRLML9303TRPBF-ND,SP001558866,IRLML9303TRPBFTR
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRLML9303
Power Dissipation (Max)
1.25W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD50P04P4L11ATMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3, P-Channel 40 V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Подробнее
Артикул: IRFB4110PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB, N-Channel 100 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BCR108E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 170 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: AUIRF3808S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK, N-Channel 75 V 106A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRLR3714
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 36A DPAK, N-Channel 20 V 36A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRL8113PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 105A TO220AB, N-Channel 30 V 105A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее