г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLU3802PBF Infineon Technologies

Артикул
IRLU3802PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 12V 84A I-PAK, N-Channel 12 V 84A (Tc) 88W (Tc) Through Hole I-PAK
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLU3802PBF.jpg
Supplier Device Package
I-PAK
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2490 pF @ 6 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
84A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRLU3802PBF,SP001559000
Standard Package
75
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
88W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: DDB6U30N08VRBOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 600V 26A 83.5W, IGBT Module - Three Phase Inverter with Brake 600 V 26 A 83.5 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRL40SC228
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 557A D2PAK, N-Channel 40 V 557A (Tc) 416W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: BAR6404WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 150V 250MW SOT323-3, RF Diode PIN - 1 Pair Series Connection 150V 100 mA 250 mW SOT-323
Подробнее
Артикул: BAT6202VH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V SC79-2, Diode Schottky 40 V 20mA (DC) Surface Mount PG-SC79-2-1
Подробнее
Артикул: IPZA60R024P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3, N-Channel 600 V 101A (Tc) 291W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-3
Подробнее
Артикул: IRF7507PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH DUAL 20V MICRO-8, Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.4A, 1.7A 1.25W Surface Mount Micro8™
Подробнее