г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRSM636-015MB Infineon Technologies

Артикул
IRSM636-015MB
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MODULES POWER DRIVERS, Power Driver Module - - -
Цена
1 213 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Power Driver Modules, Модули драйверов питания
Image
files/IRSM636-015MB.jpg
Configuration
-
Type
-
REACH Status
REACH Unaffected
Package / Case
-
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Base Product Number
IRSM636
Standard Package
800
Other Names
SP001539614
HTSUS
8542.39.0001
ECCN
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
Part Status
Not For New Designs
Package
Tray
Series
-
Voltage - Isolation
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPB117N20NFDATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3, N-Channel 200 V 84A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: IPP60R125CPXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3, N-Channel 650 V 25A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRFR5505TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK, P-Channel 55 V 18A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BFR193WH6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: HIGH LINEARITY TRANSISTOR, RF Transistor
Подробнее
Артикул: AUIRLS4030-7P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK, N-Channel 100 V 190A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: IRGS4062DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 48A 250W D2PAK, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Surface Mount D2PAK
Подробнее