г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRSM636-015MB Infineon Technologies

Артикул
IRSM636-015MB
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MODULES POWER DRIVERS, Power Driver Module - - -
Цена
1 213 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Power Driver Modules, Модули драйверов питания
Image
files/IRSM636-015MB.jpg
Configuration
-
Type
-
REACH Status
REACH Unaffected
Package / Case
-
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Base Product Number
IRSM636
Standard Package
800
Other Names
SP001539614
HTSUS
8542.39.0001
ECCN
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
Part Status
Not For New Designs
Package
Tray
Series
-
Voltage - Isolation
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4BC30FD-SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRG4BC30 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: AUIRF1010Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB, N-Channel 55 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFS4610PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK, N-Channel 100 V 73A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IGCM04F60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MODULE IGBT 600V 4A 24PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 4 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: IRG4PH30KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 20A 100W TO247AC, IGBT - 1200 V 20 A 100 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BCR191
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее