г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SDT04S60 Infineon Technologies

Артикул
SDT04S60
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 4A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/SDT04S60.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)
0 ns
Diode Type
Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
600 V
Current - Average Rectified (Io)
4A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.9 V @ 4 A
Speed
No Recovery Time > 500mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr
200 µA @ 600 V
Capacitance @ Vr, F
150pF @ 0V, 1MHz
Supplier Device Package
PG-TO220-2-2
Package / Case
TO-220-2
Series
CoolSiC™+
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Other Names
SDT04S60IN,SDT04S60IN-NDR,SDT04S60X,SDT04S60XK,SDT04S60XTIN,SDT04S60XTIN-ND,SP000013822
Standard Package
500
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 175°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF630NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB, N-Channel 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFH5406TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 11A/40A 8PQFN, N-Channel 60 V 11A (Ta), 40A (Tc) 3.6W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: IRG7PH46UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 130A 469W TO247AC, IGBT Trench 1200 V 130 A 469 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRG7PH42UD-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 85A 320W TO247AD, IGBT Trench 1200 V 85 A 320 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IRL8113S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK, N-Channel 30 V 105A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFS4310ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK, N-Channel 100 V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее