г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SGB15N60 Infineon Technologies

Артикул
SGB15N60
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT, 31A, 600V, N-CHANNEL, IGBT NPT 600 V 31 A 139 W Surface Mount PG-TO263-3-2
Цена
179 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/SGB15N60.jpg
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Power - Max
139 W
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
31 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Test Condition
400V, 15A, 21Ohm, 15V
IGBT Type
NPT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 15A
Current - Collector Pulsed (Icm)
62 A
Switching Energy
570µJ
Gate Charge
76 nC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
INFINFSGB15N60,2156-SGB15N60
Standard Package
1
Td (on/off) @ 25°C
32ns/234ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BAT1502LRHE6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSLP2, RF Diode Schottky - Single 4V 110 mA 100 mW PG-TSLP-2-7
Подробнее
Артикул: AUIRF1324S-7P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 24V 240A D2PAK, N-Channel 24 V 240A (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: BUZ30A H3045A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IKCM20L60GDXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IFPS MODULE 600V 20A 24PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 20 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: IRFB5615PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB, N-Channel 150 V 35A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF1404PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB, N-Channel 40 V 202A (Tc) 333W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее