г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SGB30N60 Infineon Technologies

Артикул
SGB30N60
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT, 41A, 600V, N-CHANNEL, IGBT NPT 600 V 41 A 250 W Surface Mount PG-TO263-3-2
Цена
317 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/SGB30N60.jpg
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Power - Max
250 W
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Test Condition
400V, 30A, 11Ohm, 15V
IGBT Type
NPT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 30A
Current - Collector Pulsed (Icm)
112 A
Switching Energy
1.29mJ
Gate Charge
140 nC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
INFINFSGB30N60,2156-SGB30N60
Standard Package
1
Td (on/off) @ 25°C
44ns/291ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFU15N20DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 17A IPAK, N-Channel 200 V 17A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IRF7469
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 9A 8SO, N-Channel 40 V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IPD180N10N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3, N-Channel 100 V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: SDT12S60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 12A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: IRF3305
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB, N-Channel 55 V 75A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF9952
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее