г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SGB30N60 Infineon Technologies

Артикул
SGB30N60
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT, 41A, 600V, N-CHANNEL, IGBT NPT 600 V 41 A 250 W Surface Mount PG-TO263-3-2
Цена
317 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/SGB30N60.jpg
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Power - Max
250 W
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Test Condition
400V, 30A, 11Ohm, 15V
IGBT Type
NPT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 30A
Current - Collector Pulsed (Icm)
112 A
Switching Energy
1.29mJ
Gate Charge
140 nC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
INFINFSGB30N60,2156-SGB30N60
Standard Package
1
Td (on/off) @ 25°C
44ns/291ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: DF1400R12IP4D
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DFXR12F - IGBT MODULE, IGBT
Подробнее
Артикул: BAT1504RE6152HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT23-3, RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 4V 110 mA PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRF5305PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB, P-Channel 55 V 31A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SI4420DY
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO, N-Channel 30 V 12.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRL8113PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 105A TO220AB, N-Channel 30 V 105A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF2807PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB, N-Channel 75 V 82A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее