г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SMBT2222AE6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
SMBT2222AE6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 300MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
45 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/SMBT2222AE6327HTSA1.jpg
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
REACH Status
REACH Unaffected
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Power - Max
330 mW
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Base Product Number
MBT2222A
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Other Names
SMBT2222A,SMBT2222AE6327XT,SMBT2222AE6327HTSA1DKR,SMBT2222AINTR-NDR,SMBT2222AE6327HTSA1CT,SMBT2222AINCT-NDR,SMBT2222AINTR,SMBT 2222A E6327,SMBT2222AXTINCT,SMBT2222AINTR-ND,SP000011176,SMBT2222AE6327HTSA1TR,SMBT2222AINDKR-ND,SMBT2222AE6327,SMBT2222AINDKR,S
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Frequency - Transition
300MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPB03N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 600 V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: AUIRFP1405
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 95A TO247AC, N-Channel 55 V 95A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF630NS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK, N-Channel 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRLS3034-7PPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK, N-Channel 40 V 240A (Tc) 380W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: BAR6702VH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 150V 250MW SC79-2, RF Diode PIN - Single 150V 200 mA 250 mW PG-SC79-2
Подробнее
Артикул: IRAMY20UP60B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC PWR HYBRID 600V 20A SIP3, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 20 A 22-PowerSIP Module, 18 Leads, Formed Leads
Подробнее