г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SMBT2222AE6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
SMBT2222AE6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 300MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
45 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/SMBT2222AE6327HTSA1.jpg
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
REACH Status
REACH Unaffected
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Power - Max
330 mW
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Base Product Number
MBT2222A
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Other Names
SMBT2222A,SMBT2222AE6327XT,SMBT2222AE6327HTSA1DKR,SMBT2222AINTR-NDR,SMBT2222AE6327HTSA1CT,SMBT2222AINCT-NDR,SMBT2222AINTR,SMBT 2222A E6327,SMBT2222AXTINCT,SMBT2222AINTR-ND,SP000011176,SMBT2222AE6327HTSA1TR,SMBT2222AINDKR-ND,SMBT2222AE6327,SMBT2222AINDKR,S
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Frequency - Transition
300MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FS35R12KT3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: FS35R12 - IGBT MODULE, IGBT Module
Подробнее
Артикул: BCR555
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRGP4062D-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 48A 250W TO247AD, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: BSC0501NSIATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON, N-Channel 30 V 29A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее
Артикул: BSB014N04LX3GXUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON, N-Channel 40 V 36A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Подробнее
Артикул: BSP372NH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4, N-Channel 100 V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее