г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SPA11N60C3 Infineon Technologies

Артикул
SPA11N60C3
Бренд
Infineon Technologies
Описание
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Bipolar (BJT) Transistor
Цена
251 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/SPA11N60C3.jpg
Standard Package
1
Other Names
INFINFSPA11N60C3,2156-SPA11N60C3
ECCN
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4PC40SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 60A 160W TO247AC, IGBT - 600 V 60 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF9333TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO, P-Channel 30 V 9.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRL2203NSTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK, N-Channel 30 V 116A (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BSC066N06NSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6, N-Channel 60 V 64A (Tc) 2.5W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее
Артикул: IRFU1010Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 140W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IPI80CN10NG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 100 V 13A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Подробнее