г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SPB100N03S203T Infineon Technologies

Артикул
SPB100N03S203T
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3, N-Channel 30 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Цена
246 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SPB100N03S203T.jpg
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7020 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SPB100N03S203XTINCT,SPB100N03S203XTINTR,SP000016260
Standard Package
1,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BUZ100S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRGB4630DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 47A TO220AC, IGBT 600 V 47 A 206 W Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: IRF830PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB, N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFP4710PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 72A TO247AC, N-Channel 100 V 72A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BC-848-B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: BFN18H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANSISTOR AF SOT89-4, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 200 mA 70MHz 1.5 W Surface Mount PG-SOT89
Подробнее