г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SPD09P06PL Infineon Technologies

Артикул
SPD09P06PL
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3, P-Channel 60 V 9.7A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Цена
251 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SPD09P06PL.jpg
Supplier Device Package
PG-TO252-3
REACH Status
REACH Affected
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
450 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
SIPMOS®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.7A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SPD09P06PLINTR-NDR,SPD09P06PLXTINCT,SPD09P06PLINTR,SPD09P06PLINCT-NDR,SPD09P06PLXTINCT-ND,SPD09P06PLINDKR,SPD09P06PLNT,SP000077442,SPD09P06PLINDKR-NDR,SPD09P06PLXTINTR,SPD09P06PLT,SPD09P06PLXTINTR-ND,SP000012549,SPD09P06PLXT,SPD09P06PLINCT
Standard Package
2,500
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
42W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FF150R12YT3BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 200A 625W, IGBT Module - 2 Independent 1200 V 200 A 625 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRG4PC30UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 23A 100W TO247AC, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFR024NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK, N-Channel 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IDD09SG60CXTMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 9A TO252-3, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 9A (DC) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRF7413A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO, N-Channel 30 V 12A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFP054N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 81A TO247AC, N-Channel 55 V 81A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее