г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SPP02N80C3 Infineon Technologies

Артикул
SPP02N80C3
Бренд
Infineon Technologies
Описание
N-CHANNEL POWER MOSFET,
Цена
69 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SPP02N80C3.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
1
Other Names
2156-SPP02N80C3,INFINFSPP02N80C3
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRL8113
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 105A TO220AB, N-Channel 30 V 105A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BC817-16
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS NPN 45V 800MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 800 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: SPU11N10
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 10.5A TO251-3, N-Channel 100 V 10.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole P-TO251-3-1
Подробнее
Артикул: IRFR7540TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK, N-Channel 60 V 90A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Подробнее
Артикул: BAT15099E6433HTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT143-4, RF Diode Schottky - 2 Independent 4V 110 mA 100 mW PG-SOT-143-3D
Подробнее
Артикул: IRFZ48NSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK, N-Channel 55 V 64A (Tc) 3.8W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее