г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SPP70N10L Infineon Technologies

Артикул
SPP70N10L
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3, N-Channel 100 V 70A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SPP70N10L.jpg
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4540 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-220-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Series
SIPMOS®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP000012103,SPP70N10L-ND,SPP70N10LIN
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
250W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP032N06N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3, N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRFZ44ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB, N-Channel 55 V 51A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPD85P04P4L06ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3, P-Channel 40 V 85A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Подробнее
Артикул: SPD18P06PGBTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3, P-Channel 60 V 18.6A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRGP4062DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 48A 250W TO247AC, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: MMBD7000LT1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SILICON SWITCHING DIODE ARRAY, Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 100 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее