г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SPW35N60C3 Infineon Technologies

Артикул
SPW35N60C3
Бренд
Infineon Technologies
Описание
SPW35N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE,
Цена
1 020 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SPW35N60C3.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
ROCINFSPW35N60C3,2156-SPW35N60C3
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFB4410PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 88A TO220AB, N-Channel 100 V 88A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BFR182E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3, RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRLTS6342TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP, N-Channel 30 V 8.3A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Подробнее
Артикул: IKW30N65EL5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3, IGBT - 650 V 85 A 227 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRF3710L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 57A TO262, N-Channel 100 V 57A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IPB017N08N5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK, N-Channel 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее

Ваша заявка принята