IGN1011L1200 Integra Technologies
Артикул
IGN1011L1200
Бренд
Integra Technologies
Описание
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND, RF Mosfet HEMT 50 V 160 mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 16.8dB 1250W PL84A1
Цена
157 451 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Image
files/IGN1011L1200.jpg
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PL84A1
Voltage - Rated
180 V
Gain
16.8dB
Noise Figure
-
Current Rating (Amps)
-
Power - Output
1250W
Transistor Type
HEMT
Current - Test
160 mA
Package / Case
PL84A1
Frequency
1.03GHz ~ 1.09GHz
Series
-
Package
Tray
Part Status
Active
Base Product Number
IGN1011
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Other Names
2251-IGN1011L1200
Standard Package
5
Voltage - Test
50 V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут