IGN1011L70 Integra Technologies
Артикул
IGN1011L70
Бренд
Integra Technologies
Описание
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND, RF Mosfet GaN HEMT 50 V 22 mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 22dB 80W PL32A2
Цена
38 237 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Image
files/IGN1011L70.jpg
Current Rating (Amps)
-
Supplier Device Package
PL32A2
Voltage - Rated
120 V
Power - Output
80W
Gain
22dB
Transistor Type
GaN HEMT
Current - Test
22 mA
Noise Figure
-
Standard Package
15
Other Names
2251-IGN1011L70,EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Frequency
1.03GHz ~ 1.09GHz
Package / Case
PL32A2
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Voltage - Test
50 V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут