г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXBT20N300HV IXYS

Артикул
IXBT20N300HV
Бренд
IXYS
Описание
IGBT 3000V 50A 250W TO268, IGBT - 3000 V 50 A 250 W Surface Mount TO-268AA
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IXBT20N300HV.jpg
Supplier Device Package
TO-268AA
Power - Max
250 W
Test Condition
-
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
3000 V
Reverse Recovery Time (trr)
1.35 µs
IGBT Type
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
140 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.2V @ 15V, 20A
Switching Energy
-
Gate Charge
105 nC
Package / Case
TO-268-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
Q7867913
Series
BIMOSFET™
Package
Tube
Part Status
Not For New Designs
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IXBT20
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Warning Information
Standard Package
30
Td (on/off) @ 25°C
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: DMA150E1600NA
Бренд: IXYS
Описание: DIODE GP 1.6KV 150A SOT227B, Diode Standard 1600 V 150A Chassis Mount SOT-227B
Подробнее
Артикул: IXFX80N50P
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247-3, N-Channel 500 V 80A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Подробнее
Артикул: IXTH52N65X
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 650V 52A TO247, N-Channel 650 V 52A (Tc) 660W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Подробнее
Артикул: DSEP60-12A
Бренд: IXYS
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AD, Diode Standard 1200 V 60A Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IXTQ96N20P
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 200V 96A TO3P, N-Channel 200 V 96A (Tc) 600W (Tc) Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: IXFN150N65X2
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 650V 145A SOT227B, N-Channel 650 V 145A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Подробнее