г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXFA10N80P IXYS

Артикул
IXFA10N80P
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 800V 10A TO263, N-Channel 800 V 10A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)
Цена
789 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IXFA10N80P.jpg
Supplier Device Package
TO-263 (IXFA)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10A (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2050 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
-IXFA10N80P
Series
HiPerFET™, Polar
Package
Tube
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IXFA10
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Warning Information
Standard Package
50
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IXYK140N90C3
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 900V 310A 1630W TO264, IGBT - 900 V 310 A 1630 W Through Hole TO-264 (IXYK)
Подробнее
Артикул: IXFX26N120P
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247-3, N-Channel 1200 V 26A (Tc) 960W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Подробнее
Артикул: DSI45-12A
Бренд: IXYS
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 45A TO247AD, Diode Standard 1200 V 45A Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IXBH12N300
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 3000V 30A 160W TO247, IGBT - 3000 V 30 A 160 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: DSI30-16A
Бренд: IXYS
Описание: DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO220AC, Diode Standard 1600 V 30A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: IXTA300N04T2
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 40V 300A TO263, N-Channel 40 V 300A (Tc) 480W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Подробнее