IXFN170N10 IXYS
Артикул
IXFN170N10
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B, N-Channel 100 V 170A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Цена
6 159 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IXFN170N10.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
170A (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
515 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10300 pF @ 25 V
FET Feature
-
Supplier Device Package
SOT-227B
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC
Series
HiPerFET™
Package
Tube
Part Status
Not For New Designs
Mounting Type
Chassis Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Warning Information
Standard Package
10
REACH Status
REACH Unaffected
Power Dissipation (Max)
600W (Tc)
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут