г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXFN210N30X3 IXYS

Артикул
IXFN210N30X3
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 300V 210A SOT227B, N-Channel 300 V 210A (Tc) 695W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Цена
8 131 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IXFN210N30X3.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
210A (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 105A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
375 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
24200 pF @ 25 V
FET Feature
-
Supplier Device Package
SOT-227B
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC
REACH Status
REACH Unaffected
Series
HiPerFET™, Ultra X3
Package
Tube
Part Status
Active
Mounting Type
Chassis Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IXFN210
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Warning Information
Standard Package
10
Power Dissipation (Max)
695W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: VUB72-12NOXT
Бренд: IXYS
Описание: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 75A V1A-PAK, Bridge Rectifier Three Phase (Braking) Standard 1.2 kV Chassis Mount V1A-PAK
Подробнее
Артикул: IXFN55N50F
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B, N-Channel 500 V 55A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Подробнее
Артикул: IXGF32N170
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 1700V 44A 200W I4PAC, IGBT NPT 1700 V 44 A 200 W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Подробнее
Артикул: DLA60I1200HA
Бренд: IXYS
Описание: DIODE GEN PURP 1200V 60A TO247AD, Diode Standard 1200 V 60A Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IXTA08N100D2
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263, N-Channel 1000 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Подробнее
Артикул: IXTA200N075T
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 75V 200A TO263, N-Channel 75 V 200A (Tc) 430W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Подробнее