IXFP8N65X2 IXYS
Артикул
IXFP8N65X2
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 650V 8A TO220, N-Channel 650 V 8A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220-3
Цена
409 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IXFP8N65X2.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8A (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
790 pF @ 25 V
FET Feature
-
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3
Series
HiPerFET™, Ultra X2
Package
Tube
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IXFP8N65
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Warning Information
Standard Package
50
REACH Status
REACH Unaffected
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут