IXFQ8N85X IXYS
Артикул
IXFQ8N85X
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 850V 8A TO3P, N-Channel 850 V 8A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-3P
Цена
768 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Series
HiPerFET™, Ultra X
Power Dissipation (Max)
200W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
850 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
654 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Other Names
238-IXFQ8N85X
REACH Status
REACH Unaffected
Package
Tube
Part Status
Active
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
30
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package
TO-3P
Base Product Number
IXFQ8N85
Vgs (Max)
±30V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут