IXFT21N50Q IXYS
Артикул
IXFT21N50Q
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 500V 21A TO268, N-Channel 500 V 21A (Tc) 280W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IXFT21N50Q.jpg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
21A (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package
TO-268AA
Series
HiPerFET™
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
30
Package / Case
TO-268-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Power Dissipation (Max)
280W (Tc)
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут