IXFX32N50Q IXYS
Артикул
IXFX32N50Q
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247-3, N-Channel 500 V 32A (Tc) 416W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IXFX32N50Q.jpg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
32A (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3950 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package
PLUS247™-3
Series
HiPerFET™
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
30
Package / Case
TO-247-3
Power Dissipation (Max)
416W (Tc)
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут