г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXGX120N60A3 IXYS

Артикул
IXGX120N60A3
Бренд
IXYS
Описание
IGBT 600V 200A 780W PLUS247, IGBT PT 600 V 200 A 780 W Through Hole PLUS247™-3
Цена
3 317 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IXGX120N60A3.jpg
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PLUS247™-3
Power - Max
780 W
Test Condition
480V, 100A, 1.5Ohm, 15V
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
IGBT Type
PT
Current - Collector Pulsed (Icm)
600 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.35V @ 15V, 100A
Switching Energy
2.7mJ (on), 6.6mJ (off)
Gate Charge
450 nC
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
-IXGX120N60A3
Series
GenX3™
Package
Tube
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IXGX120
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Warning Information
Standard Package
30
Td (on/off) @ 25°C
39ns/295ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: DSEI30-10AR
Бренд: IXYS
Описание: DIODE GP 1KV 30A ISOPLUS247, Diode Standard 1000 V 30A Through Hole ISOPLUS247™
Подробнее
Артикул: IXYH82N120C3
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 1200V 200A 1250W TO247AD, IGBT - 1200 V 200 A 1250 W Through Hole TO-247 (IXYH)
Подробнее
Артикул: IXFN210N30P3
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B, N-Channel 300 V 192A (Tc) 1500W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Подробнее
Артикул: DSEI30-12A
Бренд: IXYS
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 26A TO247AD, Diode Standard 1200 V 26A Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IXTP64N055T
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB, N-Channel 55 V 64A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: IXTA96P085T
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET P-CH 85V 96A TO263, P-Channel 85 V 96A (Tc) 298W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Подробнее