IXTQ60N20T IXYS
Артикул
IXTQ60N20T
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 200V 60A TO3P, N-Channel 200 V 60A (Tc) 500W (Ta) Through Hole TO-3P
Цена
894 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Series
Trench
Power Dissipation (Max)
500W (Ta)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4530 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Other Names
238-IXTQ60N20T
REACH Status
REACH Unaffected
Package
Tube
Part Status
Active
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
30
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package
TO-3P
Base Product Number
IXTQ60
Vgs (Max)
±20V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут