г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

1N4447 Microchip Technology

Артикул
1N4447
Бренд
Microchip Technology
Описание
DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35, Diode Standard 75 V 200mA Through Hole DO-35
Цена
196 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/1N4447.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
1N4447MS
Current - Reverse Leakage @ Vr
25 nA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1 V @ 20 mA
Diode Type
Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
75 V
Current - Average Rectified (Io)
200mA
Speed
Small Signal =
Capacitance @ Vr, F
-
Operating Temperature - Junction
-65°C ~ 150°C
Base Product Number
1N4447
Supplier Device Package
DO-35
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0070
Standard Package
1
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
DO-204AH, DO-35, Axial
Reverse Recovery Time (trr)
4 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N459A
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE GEN PURP 200V 150MA DO35, Diode Standard 200 V 150mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 2N3771
Бренд: Microchip Technology
Описание: TRANSISTOR POWER BJT, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 30 A - 6 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: APTM100A13SCG
Бренд: Microchip Technology
Описание: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 65A 1250W Chassis Mount SP6
Подробнее
Артикул: APT33GF120BRG
Бренд: Microchip Technology
Описание: IGBT 1200V 52A 297W TO247, IGBT NPT 1200 V 52 A 297 W Through Hole TO-247 [B]
Подробнее
Артикул: JAN1N6625US
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A, Diode Standard 1100 V 1A Surface Mount D-5A
Подробнее
Артикул: 2N5003
Бренд: Microchip Technology
Описание: NPN SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее