г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N5322 Microchip Technology

Артикул
2N5322
Бренд
Microchip Technology
Описание
PNP TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 75 V 2 A - 10 W Through Hole TO-5
Цена
3 302 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N5322.jpg
Other Names
2N5322MS
Power - Max
10 W
Transistor Type
PNP
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
75 V
Frequency - Transition
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
-
Supplier Device Package
TO-5
Package / Case
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
1
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-
Current - Collector Cutoff (Max)
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MSC035SMA170B4
Бренд: Microchip Technology
Описание: MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-247-, N-Channel 1700 V 68A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-247-4
Подробнее
Артикул: 2N1724A
Бренд: Microchip Technology
Описание: POWER BJT, Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 5 A - 3 W Stud Mount TO-61
Подробнее
Артикул: 1N4477
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE ZENER, Zener Diode
Подробнее
Артикул: 1N5917B
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE ZENER, Zener Diode
Подробнее
Артикул: 2N2218A
Бренд: Microchip Technology
Описание: NPN TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 800 mA - 800 mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)
Подробнее
Артикул: APT8020LLLG
Бренд: Microchip Technology
Описание: MOSFET N-CH 800V 38A TO264, N-Channel 800 V 38A (Tc) Through Hole TO-264 [L]
Подробнее