2N5672 Microchip Technology
Артикул
2N5672
Бренд
Microchip Technology
Описание
NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTO, Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 30 A - 6 W Through Hole TO-3
Цена
10 430 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N5672.jpg
Base Product Number
2N5672
Power - Max
6 W
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V
Frequency - Transition
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 20A, 5V
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
5V @ 6A, 30A
Supplier Device Package
TO-3
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
1
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max)
10mA
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут