г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6306 Microchip Technology

Артикул
2N6306
Бренд
Microchip Technology
Описание
NPN TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Цена
12 804 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N6306.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
1
Base Product Number
2N6306

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N4148-1
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35, Diode Standard 75 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 1N5802
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL, Diode Standard 50 V 1A Through Hole
Подробнее
Артикул: CDLL6761
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO213AB, Diode Schottky 100 V 1A Surface Mount DO-213AB
Подробнее
Артикул: APT15GP90BDQ1G
Бренд: Microchip Technology
Описание: IGBT 900V 43A 250W TO247, IGBT PT 900 V 43 A 250 W Through Hole TO-247 [B]
Подробнее
Артикул: 1N5805
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL, Diode Standard 125 V 1A Through Hole
Подробнее
Артикул: APT50GN120L2DQ2G
Бренд: Microchip Technology
Описание: IGBT 1200V 134A 543W TO264, IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 V 134 A 543 W Through Hole
Подробнее