г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

APT30GP60BDQ1G Microchip Technology

Артикул
APT30GP60BDQ1G
Бренд
Microchip Technology
Описание
IGBT 600V 100A 463W TO247, IGBT PT 600 V 100 A 463 W Through Hole TO-247 [B]
Цена
1 586 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/APT30GP60BDQ1G.jpg
Other Names
APT30GP60BDQ1GMP-ND,APT30GP60BDQ1GMP
Power - Max
463 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
100 A
IGBT Type
PT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 30A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Switching Energy
260µJ (on), 250µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
90 nC
Td (on/off) @ 25°C
13ns/55ns
REACH Status
REACH Unaffected
Base Product Number
APT30GP60
Supplier Device Package
TO-247 [B]
Series
POWER MOS 7®
Package
Tube
Part Status
Active
RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
1
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Test Condition
400V, 30A, 5Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2293300-R
Бренд: Microchip Technology
Описание: HBA 1100-8E SINGLE, Adapter Cards
Подробнее
Артикул: CDLL5711
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE SCHOTTKY 50V 33MA DO213AA, Diode Schottky 50 V 33mA Surface Mount DO-213AA
Подробнее
Артикул: 1N3880
Бренд: Microchip Technology
Описание: FAST RECOVERY RECTIFIER, Diode
Подробнее
Артикул: 2N6660
Бренд: Microchip Technology
Описание: MOSFET N-CH 60V 410MA TO39, N-Channel 60 V 410mA (Ta) 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: JANTXV1N5809US
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF, Diode Standard 100 V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
Подробнее
Артикул: 2N5794
Бренд: Microchip Technology
Описание: NPN TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 600mA - 600mW Through Hole TO-78-6
Подробнее