APT45GP120B2DQ2G Microchip Technology
Артикул
APT45GP120B2DQ2G
Бренд
Microchip Technology
Описание
IGBT 1200V 113A 625W TMAX, IGBT PT 1200 V 113 A 625 W Through Hole
Цена
3 755 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/APT45GP120B2DQ2G.jpg
Other Names
APT45GP120B2DQ2GMI-ND,APT45GP120B2DQ2GMI
Power - Max
625 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
113 A
IGBT Type
PT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.9V @ 15V, 45A
Current - Collector Pulsed (Icm)
170 A
Switching Energy
900µJ (on), 905µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
185 nC
Td (on/off) @ 25°C
18ns/100ns
REACH Status
REACH Unaffected
Base Product Number
APT45GP120
Series
POWER MOS 7®
Package
Tube
Part Status
Active
RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
1
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3 Variant
Test Condition
600V, 45A, 5Ohm, 15V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут