г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

APT50GP60B2DQ2G Microchip Technology

Артикул
APT50GP60B2DQ2G
Бренд
Microchip Technology
Описание
IGBT 600V 150A 625W TMAX, IGBT PT 600 V 150 A 625 W Through Hole
Цена
2 631 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/APT50GP60B2DQ2G.jpg
Other Names
APT50GP60B2DQ2GMI,APT50GP60B2DQ2GMI-ND
Power - Max
625 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
150 A
IGBT Type
PT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 50A
Current - Collector Pulsed (Icm)
190 A
Switching Energy
465µJ (on), 635µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
165 nC
Td (on/off) @ 25°C
19ns/85ns
REACH Status
REACH Unaffected
Base Product Number
APT50GP60
Series
POWER MOS 7®
Package
Tube
Part Status
Active
RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
1
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3 Variant
Test Condition
400V, 50A, 4.3Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: APT80GA60LD40
Бренд: Microchip Technology
Описание: IGBT 600V 143A 625W TO264, IGBT PT 600 V 143 A 625 W Through Hole TO-264
Подробнее
Артикул: APT60S20BG
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247, Diode Schottky 200 V 75A Through Hole TO-247 [B]
Подробнее
Артикул: 2N2811
Бренд: Microchip Technology
Описание: PNP TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: 2N3822
Бренд: Microchip Technology
Описание: N CHANNEL JFET, JFET N-Channel 50 V 300 mW Through Hole TO-72
Подробнее
Артикул: 1N6625US
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF, Diode Standard 1100 V 1A Surface Mount A-MELF
Подробнее
Артикул: 1N4532
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE GEN PURP 50V 125MA DO34, Diode Standard 50 V 125mA Through Hole DO-34
Подробнее