г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

UPS5817E3/TR7 Microchip Technology

Артикул
UPS5817E3/TR7
Бренд
Microchip Technology
Описание
DIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERMITE1, Diode Schottky 20 V 1A Surface Mount Powermite 1 (DO216-AA)
Цена
79 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/UPS5817E3TR7.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
UPS5817E3CT-NDR,150-UPS5817E3/TR7CT,150-UPS5817E3/TR7DKR,UPS5817E3TR-NDR,UPS5817E3TR7,UPS5817E3CT,UPS5817E3DKR-ND,UPS5817E3,UPS5817E3TR-ND,UPS5817E3DKR,UPS5817E3CT-ND,150-UPS5817E3/TR7TR,UPS5817E3TR
Current - Reverse Leakage @ Vr
1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
450 mV @ 1 A
Diode Type
Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
20 V
Current - Average Rectified (Io)
1A
Speed
Fast Recovery = 200mA (Io)
Capacitance @ Vr, F
-
Base Product Number
UPS5817
Supplier Device Package
Powermite 1 (DO216-AA)
Package / Case
DO-216AA
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 150°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2N5051
Бренд: Microchip Technology
Описание: NPN SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: 2N4240
Бренд: Microchip Technology
Описание: NPN TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 500 V 2 A - 35 W Through Hole TO-66
Подробнее
Артикул: 2N5878
Бренд: Microchip Technology
Описание: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: 2N6661
Бренд: Microchip Technology
Описание: MOSFET N-CH 90V 350MA TO39, N-Channel 90 V 350mA (Tj) 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: JAN1N6642US
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D, Diode Standard 75 V 300mA Surface Mount D-5D
Подробнее
Артикул: 2N3738
Бренд: Microchip Technology
Описание: NPN POWER SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 225 V 1 A - 20 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
Подробнее