NAND512R3A2DZA6E Micron Technology
Артикул
NAND512R3A2DZA6E
Бренд
Micron Technology
Описание
IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA, FLASH - NAND Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 50 ns 63-VFBGA (9x11)
Теги
Integrated Circuits (ICs), Интегральные микросхемы (ИМС), Memory, Память
Image
files/NAND512R3A2DZA6E.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Voltage - Supply
1.7V ~ 1.95V
Package / Case
63-TFBGA
Supplier Device Package
63-VFBGA (9x11)
Technology
FLASH - NAND
Memory Type
Non-Volatile
Memory Format
FLASH
Memory Size
512Mb (64M x 8)
Memory Interface
Parallel
Write Cycle Time - Word, Page
50ns
Other Names
-NAND512R3A2DZA6E
Standard Package
1,260
Series
-
Package
Tray
Part Status
Obsolete
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 85°C (TA)
Base Product Number
NAND512
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
3A991B1A
HTSUS
8542.32.0071
Access Time
50 ns
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут