2N5014 Microsemi
Артикул
2N5014
Бренд
Microsemi
Описание
NPN SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 900 V 200 mA - 1 W Through Hole TO-5
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N5014.jpg
Supplier Device Package
TO-5
Other Names
150-2N5014,2N5014-ND
Power - Max
1 W
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
900 V
Frequency - Transition
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 20mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Package / Case
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
1
Mounting Type
Through Hole
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут