APT5025BN Microsemi
Артикул
APT5025BN
Бренд
Microsemi
Описание
MOSFET N-CH 500V 23A TO247AD, N-Channel 500 V 23A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AD
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Series
POWER MOS IV®
Power Dissipation (Max)
310W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2950 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Other Names
150-APT5025BN,APT5025BN-ND
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
30
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AD
Vgs (Max)
±30V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут