г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MDS150 Microsemi

Артикул
MDS150
Бренд
Microsemi
Описание
RF TRANS NPN 60V 1.09GHZ 55AW, RF Transistor NPN 60V 4A 1.03GHz ~ 1.09GHz 350W Chassis Mount 55AW
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Series
-
Other Names
150-MDS150,MDS150-ND
Power - Max
350W
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60V
Frequency - Transition
1.03GHz ~ 1.09GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)
-
Gain
10dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 500mA, 5V
REACH Status
REACH Unaffected
Supplier Device Package
55AW
Package / Case
55AW
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Standard Package
1
Mounting Type
Chassis Mount
Operating Temperature
200°C (TJ)
Current - Collector (Ic) (Max)
4A

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: APT36N90BC3G
Бренд: Microsemi
Описание: MOSFET N-CH 900V 36A TO247, N-Channel 900 V 36A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Подробнее
Артикул: MS2321
Бренд: Microsemi
Описание: RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M105, RF Transistor NPN 65V 1.5A 1.025GHz ~ 1.15GHz 87.5W Chassis Mount M105
Подробнее
Артикул: MS2901
Бренд: Microsemi
Описание: TRANSISTOR, RF Transistor
Подробнее
Артикул: MS2211
Бренд: Microsemi
Описание: RF TRANS NPN 48V 1.215GHZ M222, RF Transistor NPN 48V 900mA 960MHz ~ 1.215GHz 25W Chassis Mount M222
Подробнее
Артикул: 2C2324
Бренд: Microsemi
Описание: SCR SILICON CTRL RECTIFIER, SCR - -
Подробнее
Артикул: 2N6766
Бренд: Microsemi
Описание: MOSFET N-CH 200V 30A TO3, N-Channel 200 V 30A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3
Подробнее